В общем, разные виды электрические и электронные компоненты такие как транзисторы, интегральные схемы , микроконтроллеры, трансформаторы, регуляторы, двигатели, устройства сопряжения, модули и базовые компоненты используются (в соответствии с требованиями) для разработки различных электрических и электронных проектов. Важно знать о работе каждого компонента, прежде чем использовать его практически в схемных приложениях. Очень сложно подробно обсудить все важные компоненты электроники в одной статье. Поэтому давайте подробно обсудим переходный полевой транзистор, характеристики JFET и его работу. Но, прежде всего, мы должны знать, что такое полевые транзисторы.

Полевые транзисторы

В твердотельной электронике революционные изменения были сделаны с изобретением транзистора, и это происходит от слова 'резистор передачи'. Из самого названия мы можем понять принцип работы транзистора, то есть передаточного резистора. Транзисторы подразделяются на разные типы, такие как полевой транзистор , биполярный переходной транзистор и т. д.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET) обычно называют униполярными транзисторами, потому что эти операции с полевыми транзисторами связаны с типом с одной несущей. Полевые транзисторы подразделяются на различные типы, такие как MOSFET, JFET, DGMOSFET, FREDFET, HIGFET, QFET и так далее. Но в большинстве приложений обычно используются только полевые МОП-транзисторы (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) и полевые полевые транзисторы (переходные полевые транзисторы). Итак, прежде чем подробно обсуждать переходные полевые транзисторы, в первую очередь мы должны знать, что такое JFET.

Переходный полевой транзистор

Как мы обсуждали ранее, полевой транзистор с переходным эффектом - это один из типов полевых транзисторов, который используется в качестве переключателя, которым можно управлять электрически. Через активный канал электрическая энергия будет течь между выводом истока и выводом стока. Если на клемму затвора подается напряжение обратного смещения, то ток полностью отключится и канал будет деформирован. Полевые транзисторы с переходным эффектом обычно подразделяются на два типа в зависимости от их полярности, а именно:

Полевой транзистор с N-канальным переходом
Полевой транзистор с P-каналом

Полевой транзистор с N-канальным переходом

N-канальный JFET

JFET, в котором электроны в основном состоят в качестве носителя заряда, называется N-канальным JFET. Следовательно, если транзистор включен, то можно сказать, что ток протекает в первую очередь из-за движение электронов .

Полевой транзистор с P-канальным переходом

P-канал JFET

“как работает сетевая карта ”

JFET, в котором дырки в основном состоят в качестве носителя заряда, называется JFET с P-каналом. Следовательно, если транзистор включен, то можно сказать, что ток протекает в первую очередь из-за отверстий.

Работа JFET

Работа JFET может быть изучена отдельно как для N-канала, так и для P-канала.

N-канальная работа JFET

Работу JFET можно объяснить, обсудив, как включить N-канальный JFET и как отключить N-канальный JFET. Для включения N-канального JFET положительное напряжение VDD должно быть подано на вывод стока транзистора относительно вывода истока, так что вывод стока должен быть более положительным, чем вывод истока. Таким образом, ток может течь через сток в канал истока. Если напряжение на выводе затвора, VGG, равно 0 В, то на выводе стока будет максимальный ток, и говорят, что N-канальный JFET находится в состоянии ВКЛ.

N-канальная работа JFET

Для выключения N-канального JFET положительное напряжение смещения может быть отключено или отрицательное напряжение может быть приложено к клемме затвора. Таким образом, изменяя полярность напряжения затвора, можно уменьшить ток стока, и тогда N-канальный полевой транзистор считается выключенным.

P-канал работы JFET

Для включения P-канального JFET отрицательное напряжение может быть приложено к выводу стока транзистора относительно вывода истока, так что вывод стока должен быть соответственно более отрицательным, чем вывод истока. Таким образом, ток пропускается через сток в канал истока. Если напряжение на выводе затвора , VGG равен 0 В, тогда на выводе стока будет максимальный ток, и говорят, что JFET P-канала находится в состоянии ВКЛ.

“светодиодный рождественский свет принципиальная схема ”

P-канал работы JFET

Для выключения P-канального JFET отрицательное напряжение смещения может быть отключено или положительное напряжение может быть подано на клемму затвора. Если на клемму затвора подается положительное напряжение, то токи стока начинают уменьшаться (до отключения), и, таким образом, P-канальный JFET считается выключенным.

Характеристики JFET

Характеристики JFET могут быть изучены как для N-канала, так и для P-канала, как описано ниже:

Характеристики N-канального JFET

Характеристики N-канального JFET или кривая крутизны показаны на рисунке ниже, на котором изображен график между током стока и напряжением затвор-исток. На кривой крутизны есть несколько областей: омические области, области насыщения, отсечки и пробоя.

Характеристики N-канального JFET

Омическая область
Единственная область, в которой кривая крутизны показывает линейный отклик, а ток стока противопоставляется сопротивлению JFET-транзистора, называется омической областью.
Область насыщенности
В области насыщения полевой транзистор с N-канальным переходом находится во включенном состоянии и активен, поскольку максимальный ток течет из-за приложенного напряжения затвор-исток.
Cutoff Region
В этой области отсечки не будет протекать ток стока, и, таким образом, N-канальный полевой транзистор находится в выключенном состоянии.
Область разбивки
Если напряжение VDD, приложенное к выводу стока, превышает максимально необходимое напряжение, тогда транзистор не сможет противостоять току и, таким образом, ток течет от вывода стока к выводу истока. Следовательно, транзистор попадает в область пробоя.

Характеристики P-Channel JFET

Характеристики P-канального JFET или кривая крутизны показаны на рисунке ниже, на котором показаны графики между током стока и напряжением затвор-исток. На кривой крутизны есть несколько областей: омические области, области насыщения, отсечки и пробоя.

Характеристики P-Channel JFET

Омическая область
Единственная область, в которой кривая крутизны показывает линейный отклик, а ток стока противопоставляется сопротивлению JFET-транзистора, называется омической областью.
Область насыщенности
В области насыщения полевой транзистор с N-канальным переходом находится во включенном состоянии и активен, поскольку максимальный ток течет из-за приложенного напряжения затвор-исток.
Cutoff Region
В этой области отсечки не будет протекать ток стока, и, таким образом, N-канальный полевой транзистор находится в выключенном состоянии.
Область разбивки
Если напряжение VDD, приложенное к выводу стока, превышает максимально необходимое напряжение, тогда транзистор не сможет противостоять току и, таким образом, ток будет течь от вывода стока к выводу истока. Следовательно, транзистор попадает в область пробоя.

Вы хотите знать о практических применениях переходного полевого транзистора в проектировании проекты электроники ? Затем разместите свои комментарии в разделе комментариев ниже для получения дополнительной технической помощи.