В этой статье мы пытаемся понять закон Ома и закон Кирхгофа через стандартные инженерные формулы и объяснения, а также применяя линейное дифференциальное уравнение первого порядка для решения примеров наборов задач.
В этом разделе мы собираемся проанализировать конфигурацию BJT с общей базой и узнать о его характеристиках точки возбуждения, обратном токе насыщения, напряжении от базы к эмиттеру и оценить параметры с помощью
Полевой транзистор (FET) - это электронное устройство, в котором электрическое поле используется для регулирования протекания тока. Чтобы реализовать это, применяется разность потенциалов
Транзистор Дарлингтона - хорошо известное и популярное соединение, использующее пару биполярных транзисторных переходных транзисторов (BJT), разработанных для работы как унифицированный «супербета» транзистор. Следующая диаграмма показывает
Все подробности, касающиеся процедур и расчетов смещения постоянного тока биполярного транзистора или сети BJT, обсуждаются в этой главе.
Цифро-аналоговый преобразователь (DAC, D / A, D2A или D-to-A) - это схема, предназначенная для преобразования цифрового входного сигнала в аналоговый выходной сигнал. Аналого-цифровой преобразователь (АЦП) работает противоположным образом и преобразует аналоговый входной сигнал в
В транзисторах передаточные характеристики можно понимать как график зависимости выходного тока от величины, регулирующей вход, что, следовательно, демонстрирует прямую «передачу» переменных от входа к выходу в
В транзисторах с биполярным переходом фактор, определяющий уровень чувствительности устройства к базовому току, и уровень усиления на его коллекторе, называется бета или hFE.
Эта конфигурация известна как конфигурация с общим эмиттером, потому что здесь эмиттер используется как общий отрицательный вывод для входного базового сигнала и выходной нагрузки. Другими словами,
В сообщении рассказывается об истории создания биполярного переходного транзистора, который изобрел этот транзистор, его внутренней конструктивной структуре и рабочих деталях.
Смещение выводов биполярного транзистора с использованием рассчитанной схемы резистивного делителя для обеспечения оптимальных характеристик и отклика переключения называется смещением делителя напряжения. В предыдущем уклоне
Подробная информация о том, как разработать схему стабилизированного смещения эмиттера с BJT, с помощью уравнений и примеров оценок
Узнайте, что такое анализ линии нагрузки и как его реализовать с помощью практической схемы и графического анализа.
В этом посте мы узнаем, что такое насыщение в BJT, и обсудим различные методы определения уровня тока насыщения биполярного транзистора.
Туннельный диод - это тип полупроводникового диода, который имеет отрицательное сопротивление из-за квантово-механического эффекта, известного как туннелирование. В этом посте мы узнаем
Варакторный диод, также называемый варикапом, VVC (переменная по напряжению емкость или настроечный диод, представляет собой тип полупроводникового диода, который имеет переменную зависящую от напряжения емкость на p-n-переходе, когда
В электронике выпрямление - это процесс, в котором выпрямительный диод преобразует переменный входной сигнал переменного тока полного цикла в выходной сигнал постоянного тока полупериода. Один диод производит
Хотя транзисторы (BJT) широко используются для создания схем усилителя, их также можно эффективно использовать для коммутации. Транзисторный ключ - это схема, в которой коллектор
Этот пост поможет вам понять некоторые из важнейших параметров или спецификаций компаратора, которые обычно можно найти в технических описаниях микросхем компаратора. Некоторые из основных параметров, которые
Усилитель с общим коллектором BJT - это схема, в которой коллектор и база BJT используют общий входной источник питания, отсюда и название общий коллектор. В нашем