В сообщении объясняются основные характеристики и распиновка малосигнального N-канального MOSFET 2N7000G.

Мосфеты против БЮТ

Когда мы говорим о МОП-транзисторах, мы обычно связываем это с сильным током, высоким напряжением и приложениями с большой мощностью.

Однако, как и обычные BJT, также доступны малосигнальные MOSFTS, которые можно использовать так же эффективно, как и их аналоги BJT.

Мосфеты популярны благодаря своим чрезвычайно высоким возможностям передачи мощности, но при этом имеют меньшие габариты.

В отличие от BJT, МОП-транзисторы будут обрабатывать огромные токи и напряжения, не увеличивая себя в размерах и не задействуя промежуточные буферные каскады или сильноточные каскады драйверов.

Как срабатывает Mosfet

Самым большим преимуществом использования МОП-транзистора является то, что он может запускаться по желанию для работы с заданной нагрузкой независимо от тока управления затвором.

“d счетчик триггеров 4 бит ”

Вышеупомянутая функция позволяет запускать МОП-транзисторы напрямую от источников с низким током, таких как выходы CMOS или TTL, без необходимости использования буферных каскадов, что является большой разницей по сравнению с BJT.

“diy солнечное зарядное устройство aa ”

Вышеупомянутая функция также применима к малосигнальным МОП-транзисторам, которые можно напрямую заменить на малосигнальные BJT, такие как BC547, для получения более эффективных результатов. Один такой лист данных mosfet для малых сигналов, спецификация обсуждается здесь.

Это N-канальный MOSFET 2N7000G, который обычно подходит для приложений с малым сигналом в диапазоне от 200 мА до 60 В.

Сопротивление во включенном состоянии на выводах стока и истока обычно составляет около 5 Ом. Основные характеристики этого маломощного МОП-транзистора с малым сигналом перечислены ниже:

Основные электрические характеристики:

Напряжение от стока к источнику Vdss = 60 В постоянного тока Напряжение от затвора к источнику Vgs = +/- 20 В постоянного тока, +/- 40 В постоянного тока, пиковое, неповторяющееся, не более 50 микросекунд Ток стока Id = 200 мА постоянного тока непрерывно, 500 мА импульсного

Полная рассеиваемая мощность Pd при Tc = 250 C (температура перехода) = 350 мВт Распиновку и детали корпуса можно увидеть здесь: