Мы знаем, что p-тип и n-тип полупроводники подпадают под внешние полупроводники. Классификация полупроводников может быть сделана на основе легирования, как внутреннего, так и внешнего, в зависимости от рассматриваемой чистоты. Есть много факторов, которые определяют основное различие между этими двумя полупроводниками. Формирование полупроводникового материала p-типа может быть выполнено путем добавления элементов III группы. Аналогично n-тип полупроводник материал может быть сформирован путем добавления элементов группы V. В этой статье обсуждается разница между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа.
Что такое полупроводник P-типа и полупроводник N-типа?
Определения p-типа и n-типа и их различия обсуждаются ниже.
Полупроводник P-типа может быть определен как после добавления трехвалентных примесных атомов, таких как индий, галлий, к собственному полупроводнику, и тогда он известен как полупроводник p-типа. В этом полупроводнике основными носителями заряда являются дырки, а неосновными носителями заряда - электроны. Плотность дыры выше, чем электроны плотность. Уровень акцептов в основном находится ближе к валентной зоне.
Полупроводник P-типа
Полупроводник N-типа можно определить как пятивалентные примесные атомы, такие как Sb, As, добавленные к собственному полупроводнику, и тогда он известен как полупроводник n-типа. В этом полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заряда - дырки. Плотность электронов выше, чем плотность дырок. Донорный уровень в основном расположен ближе к зоне проводимости.
Полупроводник N-типа
Разница между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа
Разница между полупроводником p-типа и полупроводником n-типа в основном включает разные факторы а именно носители заряда, такие как большинство и меньшинство, легирующий элемент, природа легирующего элемента, плотность носителей заряда, уровень Ферми, уровень энергии, направление движения основных носителей заряда и т. д. Разница между этими двумя указана в таблице форму ниже.
| Полупроводник P-типа | Полупроводник N-типа |
| Полупроводник P-типа может быть сформирован путем добавления трехвалентных примесей. | Полупроводник N-типа может быть сформирован путем добавления пятивалентных примесей. |
| Как только примесь добавлена, она создает дырки или вакансии электронов. Это называется акцепторным атомом. | Как только примесь добавлена, она дает дополнительные электроны. Так что это называется донор Атом. |
| Элементами III группы являются Ga, Al, In и др. | Элементами группы V являются As, P, Bi, Sb и т. Д. |
| Большинство носителей заряда - дырки, а неосновные носители заряда - электроны. | Большинство носителей заряда - электроны, неосновные носители заряда - дырки. |
| Уровень Ферми полупроводника p-типа в основном находится между энергетическим уровнем акцептора и валентной зоной. | Уровень Ферми полупроводников n-типа в основном находится между энергетическим уровнем донора и зоны проводимости. |
| Плотность дырки очень высока, чем плотность электронов (nh >> ne) | Плотность электронов очень высока, чем плотность дырок (ne >> nh) |
| Концентрация основных носителей заряда больше | Концентрация основных носителей заряда больше |
| В р-типе уровень энергии акцептора близок к валентной зоне и отсутствует в зоне проводимости. | В n-типе уровень энергии донора близок к зоне проводимости и отсутствует в валентной зоне. |
| Движение большинства носителей заряда будет происходить от высокого потенциала к низкому. | Движение большинства носителей заряда будет от низкого потенциала к высокому. |
| Когда концентрация дырок высока, этот полупроводник несет заряд + Ve. | Этот полупроводник предпочтительно несет заряд -Ve. |
| Образование дырок в этом полупроводнике называется акцепторами. | Образование электронов в этом полупроводнике называется акцепторами. |
| Проводимость p-типа обусловлена наличием основных носителей заряда, таких как дырки. | Проводимость n-типа обусловлена наличием основных носителей заряда, таких как электроны. |
FAQs
1). Какие трехвалентные элементы используются в р-типе?
Это Ga, Al и т. Д.
2). Какие пятивалентные элементы используются в n-типе?
Это As, P, Bi, Sb
3). Какая плотность дырок у р-типа?
Плотность дырок выше, чем плотность электронов (nh >> ne)
4). Какая плотность электронов у n-типа?
Плотность электронов выше плотности дырок (ne >> nh)
5). Какие бывают полупроводники?
Это внутренние и внешние полупроводники.
6). Какие бывают типы внешних полупроводников?
Это полупроводники p-типа и полупроводники n-типа.
Таким образом, в этом основное отличие полупроводника p-типа от полупроводника n-типа. полупроводник . В n-типе большинство носителей заряда имеют -ve заряд, поэтому он называется n-типом. Точно так же в p-типе результат положительного заряда может образовываться в отсутствие электрона, поэтому он называется p-типом. Различие материалов между легированием этих двух полупроводников является направлением потока электронов через осажденные полупроводниковые слои. Оба полупроводника являются хорошими проводниками электричества. Вот вам вопрос, каково движение основных носителей заряда в p-типе & n-типе?
