Транзисторы PNP и NPN являются BJT и являются основным электрическим компонентом, используемым в различных электрические и электронные схемы для построения проектов . В работе транзисторов PNP и NPN в основном используются дырки и электроны. Эти транзисторы могут использоваться как усилители, переключатели и генераторы. В транзисторе PNP основными носителями заряда являются дырки, а в транзисторе NPN основными носителями заряда являются электроны. Кроме, У полевых транзисторов есть только один вид носителя заряда. . Основное различие между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что транзистор NPN получает питание, когда ток проходит через базовый вывод транзистора.
В транзисторе NPN ток проходит от вывода коллектора к выводу эмиттера. Транзистор PNP включается, когда нет протекания тока на выводе базы транзистора. В транзисторе PNP ток проходит от вывода эмиттера к выводу коллектора. В результате транзистор PNP включается сигналом низкого уровня, а транзистор NPN включается сигналом высокого уровня.
Разница между PNP и NPN
Разница между NPN и PNP транзистором
Основное различие между Транзисторы NPN и PNP Включает, что такое транзисторы PNP и NPN, конструкция, работа и их применение.
Что такое транзистор PNP?
Термин «PNP» означает «положительный», «отрицательный», «положительный» и также известен как поиск источников. PNP-транзистор в этом транзисторе является BJT, буква «P» указывает полярность напряжения, необходимого для вывода эмиттера. Вторая буква «N» указывает полярность клеммы базы. В транзисторах этого типа большинство носителей заряда - дырки. В основном этот транзистор работает так же, как транзистор NPN.
PNP транзистор
Материалы, необходимые для изготовления выводов эмиттера (E), базы (B) и коллектора (C) в этом транзисторе, отличаются от материалов, используемых в транзисторе NPN. Выводы BC этого транзистора постоянно смещены в обратном направлении, тогда для вывода коллектора следует использовать напряжение –Ve. Следовательно, клемма базы PNP-транзистора должна быть -Ve по отношению к клемме эмиттера, а клемма коллектора должна быть -Ve, чем клемма базы.
Конструкция транзистора PNP
Конструкция транзистора PNP показана ниже. Основные характеристики обоих транзисторов аналогичны, за исключением того, что смещение направлений тока и напряжения инвертируется для любой из достижимых трех конфигураций, а именно с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.
Конструкция транзистора PNP
Напряжение между VBE (базой и выводом эмиттера) составляет –Ve на выводе базы и + Ve на выводе эмиттера. Так как для этого транзистора вывод базы постоянно смещен на -Ve относительно вывода эмиттера. Также VBE положительный по отношению к коллектору VCE.
Источники напряжения, подключенные к этому транзистору, показаны на рисунке выше. Вывод эмиттера подключен к «Vcc» с нагрузочным резистором «RL». Этот резистор останавливает ток, протекающий через устройство, подключенное к клемме коллектора.
Базовое напряжение «VB» подключено к базовому резистору «RB», который смещен отрицательно по отношению к выводу эмиттера. Чтобы базовый ток протекал через PNP-транзистор, вывод базы транзистора должен быть более отрицательным, чем вывод базы, примерно на 0,7 В (или) Si-устройство.
В основная разница между PNP и NPN транзистором правильное смещение стыков транзисторов. Направления тока и полярности напряжения постоянно противоположны друг другу.
Что такое транзистор NPN?
Термин «NPN» означает отрицательный, положительный, отрицательный и также известен как опускание. Транзистор NPN представляет собой BJT в этом транзисторе начальная буква «N» указывает на отрицательно заряженное покрытие материала. Где «P» указывает полностью заряженный слой. Два транзистора имеют положительный слой, расположенный посередине двух отрицательных слоев. Как правило, транзистор NPN используется в различных электрических цепях для переключения и усиления сигналов, которые проходят через них.
NPN транзистор
Транзистор NPN включает в себя три клеммы, такие как база, эмиттер и коллектор. Эти три клеммы можно использовать для подключения транзистора к печатной плате. Когда через этот транзистор протекает ток, на его базовый вывод поступает электрический сигнал. Коллекторный терминал создает более сильный электрический ток , и вывод эмиттера превышает этот более сильный ток в цепи. В транзисторе PNP ток проходит через коллектор к выводу эмиттера.
Обычно используется транзистор NPN, потому что его очень просто сгенерировать. Чтобы NPN-транзистор функционировал должным образом, он должен быть создан из полупроводникового объекта, который содержит некоторый ток. Но не такое максимальное количество, как чрезвычайно проводящие материалы, такие как металл. Кремний - один из наиболее часто используемых в полупроводниках. Эти транзисторы являются простыми транзисторами, которые можно построить из кремния.
Транзистор NPN используется на печатной плате компьютера для преобразования информации в двоичный код, и эта процедура выполняется с помощью множества крошечных переключателей, включаемых и выключаемых на платах. Мощный электрический сигнал поворачивает выключатель, а отсутствие сигнала выключает его.
Конструкция транзистора NPN
Конструкция этого транзистора показана ниже. Напряжение на базе транзистора составляет + Ve и –Ve на выводе эмиттера транзистора. Вывод базы транзистора всегда положительный по отношению к эмиттеру, а также подача напряжения коллектора составляет + Ve по отношению к выводу эмиттера транзистора. В этом транзисторе клемма коллектора связана с VCC через RL.
Конструкция транзистора NPN
Этот резистор ограничивает ток через самый высокий ток базы. В транзисторе NPN поток электронов через базу представляет собой действие транзистора. Основная характеристика этого транзисторного действия - соединение между цепями i / p и o / p. Потому что усилительные свойства транзистора проистекают из результирующего управления, которое база использует на коллекторе для эмиттерного тока.
Транзистор NPN - это устройство, активируемое током. Когда транзистор включен, большой ток IC подается между выводами коллектора и эмиттера в транзисторе. Но это происходит только тогда, когда крошечный ток смещения «Ib» протекает через вывод базы транзистора. Это биполярный транзистор, ток - это отношение двух токов (Ic / Ib), называемое усилением постоянного тока устройства.
Он обозначается словом «hfe» или в наши дни beta. Значение бета может достигать 200 для типичных транзисторов. Когда NPN-транзистор используется в активной области, то базовый ток «Ib» обеспечивает i / p, а ток коллектора «IC» дает o / p. Коэффициент усиления по току NPN-транзистора от C до E называется альфа (Ic / Ie), и это предназначение самого транзистора. Поскольку Ie (ток эмиттера) является суммой крошечного тока базы и огромного тока коллектора. Значение альфа очень близко к единице, а для типичного маломощного сигнального транзистора значение находится в диапазоне от 0,950 до 0,999.
ГлавныйРазница между PNP и NPN
Транзисторы PNP и NPN представляют собой трехконтактные устройства, изготовленные из легированных материалов, часто используемых в коммутационных и усилительных устройствах. Есть сочетание Диоды с PN переходом в каждом биполярный переходной транзистор . Когда пара диодов соединяется, получается бутерброд. Это своего рода полупроводник посередине между двумя подобными типами.
Разница между NPN и PNP транзистором
Итак, есть только два вида биполярных сэндвичей, а именно PNP и NPN. В полупроводниковых устройствах NPN-транзистор обычно имеет высокую подвижность электронов, которая оценивается как подвижность дырки. Таким образом, он пропускает огромное количество тока и работает очень быстро. Кроме того, конструкция этого транзистора проста из кремния.
- Оба транзистора собраны из специальных материалов, и ток в этих транзисторах также разный.
- В транзисторе NPN ток протекает от вывода коллектора к выводу эмиттера, тогда как в PNP поток тока проходит от вывода эмиттера к выводу коллектора.
- PNP-транзистор состоит из двух слоев материала P-типа со слоем между слоями N-типа. Транзистор NPN состоит из двух слоев материала N-типа со слоем прослойки P-типа.
- В NPN-транзисторе на клемму коллектора устанавливается положительное напряжение, чтобы генерировать ток от коллектора. Для транзистора PNP на выводе эмиттера устанавливается положительное напряжение для создания потока тока от вывода эмиттера к коллектору.
- Основной принцип работы NPN-транзистора заключается в том, что когда ток увеличивается до клеммы базы, транзистор включается и полностью работает от клеммы коллектора до клеммы эмиттера.
- Когда вы уменьшаете ток на базе, транзистор включается, и ток становится настолько низким. Транзистор больше не работает через вывод коллектора к выводу эмиттера и выключается.
- Основной принцип работы PNP-транзистора заключается в том, что когда ток присутствует на базе PNP-транзистора, а затем транзистор выключается. Когда на базе транзистора нет протекания тока, транзистор включается.
Это все об основном различии между транзисторами NPN и PNP, которые используются для проектирования электрических и электронных схем и различных приложений. Кроме того, любые сомнения относительно этой концепции или узнать больше о различных типах конфигураций транзисторов , вы можете дать свой совет, оставив комментарий в разделе комментариев ниже. Вот вам вопрос, какой транзистор имеет более высокую подвижность электронов?
